برق 114. مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم حرارتی آشکارساز نوری Ge on SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات فرم CMOS سیلیکونی
پلات فرم CMOS سیلیکونی , تزویج میرا شونده , آشکارساز نوری Ge on SOI , Ge-on-SOI , بادجت کم حرارتی , Low Thermal Budget Monolithic Integration , Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector , Si CMOS Platform , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق بال ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی
مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم حرارتی آشکارساز نوری Ge on SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات فرم CMOS سیلیکونی
چکیده طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم روی سیلیکون روی عایق SOI منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS بر روی پلات فرم های پایگاه های SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی نخست الکترونی و سپس فوتونی ساخته شده است آشکارساز نور با کارایی بالا با یک موجبر سیلیکونی مجتمع شده بر روی لایه همبافته جذب کننده ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است نشان داده شده است معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند مورد تحقیق قرار گرفته اند زمانی که در بایاس -1.0 v کار می کند یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریان Idark کمتر از 0.57 میکرو آمپر می باشد در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های سرعت بالا قابل قبول است دارد پاسخ دهی بسیار سریع 0.92 A W در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است که درای بازده ی کوآنتومی 73 می باشد اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی در نیم حداکثر 24. 4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی به یک تمام عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند که در -3 dB با پهنای باند 11. 3 گیگاهرتز انجام می پذیرد آن طور که پیداست تاخیر زمان RC مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد به علاوه اندازه گیری طرح چشم ترتیب باینری شبه تصادفی 2 7 1 دستیابی آشکار سازی نوری سرعت بالا و کم نویز را در سرعت ذره ای بیت ریت 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب با مدارات مجتمع آی سی ها اینورتر CMOS به اضافه عملکرد های درست منطقی بدست آمده است معرفی یک بادجت حرارتی اضافی 800 درجه سیلیسیوس منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد ما همچنین مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز Ge CMOS سلیکون برای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده بحث خواهیم کرد
خرید و دانلود محصول
1394/08/03
پلات فرم CMOS سیلیکونی , تزویج میرا شونده , آشکارساز نوری Ge on SOI , Ge-on-SOI , بادجت کم حرارتی , Low Thermal Budget Monolithic Integration , Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector , Si CMOS Platform , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق بال ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی
لینک محصول
http://file-niko.zepo.ir/post/15708